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STM ha annunciato la costruzione del primo impianto al mondo interamente dedicato alla produzione di carburo di silicio (SiC), situato a Catania. Questa iniziativa rafforza la posizione dell'azienda nella vanguardia della tecnologia SiC, essenziale per dispositivi di potenza in settori chiave come l'automotive e l'industriale.
L'impianto sarà parte del Silicon Carbide Campus di STM, un hub integrato che accomuna la produzione di substrati in SiC e attività di test e packaging, tutti localizzati nello stesso sito. Questa centralizzazione assicura una completa integrazione verticale delle operazioni, dalla produzione dei substrati alla realizzazione di dispositivi finiti, permettendo una scalabilità senza precedenti.
La produzione è programmata per iniziare nel 2026, con l'obiettivo di raggiungere la piena capacità produttiva entro il 2033. Si prevede una produzione settimanale fino a 15.000 wafer e un investimento totale di circa cinque miliardi di euro. Di questi, circa due miliardi saranno finanziati dallo stato italiano attraverso il Chips Act dell'Unione Europea.
Il Silicon Carbide Campus non sarà solo un centro di eccellenza produttiva, ma anche un modello di sostenibilità. L'attenzione alla riduzione del consumo di risorse come acqua ed energia è fondamentale nella progettazione e nelle operazioni quotidiane del campus, al fine di minimizzare l'impat, ambientale dell'attività produttiva.
Jean-Marc Chery, presidente e CEO di STMicroelectronics, ha sottolineato l'importanza del campus per il futuro dell'azienda e per il settore tecnologico in generale. "Le capacità completamente integrate del Silicon Carbide Campus di Catania sono essenziali per consolidare la nostra leadership nella tecnologia SiC. Questo ci permetterà di offrire ai nostri clienti soluzioni innovative e di alto volume, essenziali per l'elettrificazione e l'efficienza energetica", ha dichiarato Chery.